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宏微科技:公司首款1200V SiC MOSFET芯片研制成功;自主研发的Si

来源:原创 编辑:admin 时间:2024-08-31 13:03

  (原标题:宏微科技:公司首款1200V SiC MOSFET芯片研制成功;自主研发的SiC SBD(肖特基势垒二极管)芯片已经通过可靠性验证,并已通过终端客户验证)

  同花顺(300033)金融研究中心06月17日讯,有投资者向宏微科技提问, 市场认为大基金三期将主要投向第三代半导体材料、设备以及封测等国产替代化空间较大的领域。公司目前碳化硅领域研发进展如何?麻烦介绍一下

  公司回答表示隐形目标,尊敬的投资者,您好!公司提前布局了SiC芯片和封装业务,相关的SiC模块已批量应用于新能源等行业,在第三代功率半导体器件领域的研发和量产具有先发优势。公司碳化硅领域的研发进展如下:1、芯片产品:公司首款1200V SiC MOSFET芯片研制成功;自主研发的SiC SBD(肖特基势垒二极管)芯片已经通过可靠性验证,并已通过终端客户验证。2、模块产品:新能源汽车碳化硅模块1款产品在整机客户端认证中,1款产品工艺调试中;不间断电源(UPS)系统定制的三电平SiC混合模块已经完成开发凯发娱乐在线投注,已经开始批量供货;SiC混合封装光伏用模块已突破100万只。感谢您的关注!

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